三星宣布3纳米GAA架构制程技术芯片开始生产

  发布时间:2025-07-08 22:25:15   作者:玩站小弟   我要评论
品玩6月30日讯,今日宣布,基于3纳米nm)全环绕栅极Gate-All-AroundT,简称 GAA)制程工艺节点的芯片已经开始初步生产。该公司已经开始在其位于韩国的华城工厂大规模生产 3 纳米半导体 。

品玩6月30日讯,星宣芯片今日宣布,布纳基于3纳米(nm)全环绕栅极(Gate-All-AroundT,架构技术简称 GAA)制程工艺节点的制程芯片已经开始初步生产。该公司已经开始在其位于韩国的开始华城工厂大规模生产 3 纳米半导体芯片,是生产全球首家量产 3 纳米芯片的公司。

3nm GAA技术采用了更宽通的星宣芯片纳米片,与采用窄通道纳米线的布纳GAA技术相比能提供更高的性能和能耗比。

与三星5nm工艺相比,架构技术第一代3nm工艺可以使功耗降低45%,制程性能提升23%,开始芯片面积减少16%;而未来第二代3nm工艺则使功耗降低50%,生产性能提升30%,星宣芯片芯片面积减少35%。布纳

架构技术
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